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SI3441DV-T1--GE3

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SI3441DV-T1--GE3

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SI3441DV-T1贴片三极管

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SI3441DV-T1-E3

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SI3441DV-T1--GE3

VISHAY/威世SOT-163

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深圳市正纳电子有限公司

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SI3441DV-T1

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SI3441DV

FSC/ON原包装原封 □□

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深圳市勤思达科技有限公司

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SI3441DBV-T1-E3

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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SI3441DV-T1

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SI3441DV-T1

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SI3441DV价格

SI3441DV价格：￥0.6500品牌：VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的SI3441DV多少钱，想知道SI3441DV价格是多少？参考价：￥0.6500。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3441DV批发价格及采购报价，SI3441DV销售排行榜及行情走势，SI3441DV报价。

SI3441DV-T1中文资料Alldatasheet PDF

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SI3441DV功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3441DV_Q功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3441DV-T1功能描述:MOSFET 20V 3.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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