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深圳飞弛宏科技有限公司

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SI3441DV-T1--GE3

VISHAY/威世TSOP-6

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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低

深圳市星源辉科技有限公司

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SI3441BDV-T1-GE3

VISHAY/威世SOT-163

18000

26+

原装正品,可配单,支持实单

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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SI3441BDV-T1-E3

VISHAYN/A

70000

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柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市金华微盛电子有限公司

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VISHAY/威世SOT-163

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VISHAY/威世SSOP20

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VISHAY/威世SOT-25-5

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VISHAY/威世SOT23-6

9000

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VISHAY/威世23+

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VISHAY/威世SOP23

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原装进口价格优 请找坤融电子!

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VISHAYSOT-6

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原装现货,诚信经营!

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威世SOT-163

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市凌旭科技有限公司

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SILICONIXSOT23-6

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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳诚思涵科技有限公司

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VISHAYSOT-25-5

30000

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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VISHAYSOT-23-6

9860

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VISHAY/威世SOT-23-6

50000

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深圳市豪迈兴电子有限公司

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深圳诚思涵科技有限公司

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VISHAYSOT-23-6

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深圳市恒创达实业有限公司

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VISHAYSOT-23-6

6200

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SI3441DV价格

SI3441DV价格:¥0.6500品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的SI3441DV多少钱,想知道SI3441DV价格是多少?参考价:¥0.6500。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI3441DV批发价格及采购报价,SI3441DV销售排行榜及行情走势,SI3441DV报价。

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SI3441制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

SI3441BDV制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TSOP-6

SI3441BDV_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET

SI3441BDV-T1制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET

SI3441BDV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.9A 0.09Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3441BDV-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 2.9A 1.25W 130mohm @ 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3441DV功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3441DV_Q功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3441DV-T1功能描述:MOSFET 20V 3.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube