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深圳市金华微盛电子有限公司

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司

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SI3435DV-T1-E3

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SI3435DV-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 4.8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3435DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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