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SI3434DV-T1-GE3中文资料PDF规格书
SI3434DV-T1-GE3规格书详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• Low On-Resistance
• 100 Rg Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• DC/DC Converters, High Speed Switching
产品属性
- 型号：
SI3434DV-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 6.1A 2.0W 34mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
14+ |
TSOP-6 |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY |
13+ |
TSOP-6 |
86500 |
特价热销现货库存 |
询价 | ||
Micro Commercial Co |
23+ |
SMD |
67000 |
原装正品实单可谈 库存现货 |
询价 | ||
VISHAY |
2023+ |
TSOP-6 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
TSOP-6 |
50000 |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
询价 | ||
V |
21+ |
SOT-23-6 |
35099 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
21+ |
SOT-163 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
22+ |
NA |
6500 |
原厂原装现货 |
询价 | ||
VISHAY |
21+ |
SOT23-6 |
35400 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
VISHAY |
17+ |
SOT23-6 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 |
