选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TSOP6 |
7906200 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
1502 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
33450 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT236 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23-6 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)TSOP-6 |
58886 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
3560 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-6 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAY |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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Vishay(威世)NA |
6500 |
22+ |
原厂原装现货 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-6 |
40000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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VishaySOT-23-6 |
35140 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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Vishay(威世)N/A |
33800 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISTSOP6 |
60000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
SI3410DV采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI3410DV图片
SI3410DV-T1-GE3价格
SI3410DV-T1-GE3价格:¥1.0163品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI3410DV-T1-GE3多少钱,想知道SI3410DV-T1-GE3价格是多少?参考价:¥1.0163。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI3410DV-T1-GE3批发价格及采购报价,SI3410DV-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI3410DV-T1-GE3报价。
SI3410DV中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3410DV制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI3410DV_09制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI3410DV-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 8.0A 4.1W 19.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3410DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 8.0A 4.1W 23mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube