您好，欢迎来到114ic电子网！

首页>SI3407DV-T1-GE3>详情

SI3407DV-T1-GE3_VISHAY/威世_MOSFET 20V 8.0A 4.2W 37mohm @ 2.5V赛美科科技

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号：

    SI3407DV-T1-GE3

  • 产品分类：

    IC芯片

  • 生产厂商：

    VISHAY

  • 库存数量：

    33450

  • 产品封装：

    TSOP-6

  • 生产批号：

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2025-11-13 17:30:00

数据手册 更多货源
  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号：SI3407DV-T1-GE3品牌：VISHAY

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

  • 芯片型号：

    SI3407DV-T1-GE3

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    VBSEMI【微碧半导体】详情

  • 厂商全称：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名称：

    微碧半导体（台湾）有限公司

  • 内容页数：

    9 页

  • 文件大小：

    1000.81 kb

  • 资料说明：

    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    SI3407DV-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 8.0A 4.2W 37mohm @ 2.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商

  • 企业：

    深圳市赛美科科技有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    雷小姐 朱先生

  • 手机：

    13480875861

  • 询价：
  • 电话：

    0755-28309323 13480811379

  • 传真：

    0755-28309323

  • 地址：

    深圳市龙岗区坂田街道光雅园商住区11栋908

相关型号

相近型号

客户服务 网站合作

  • Tel：0755 8246 9263

  • Email：kf＠114ic.com

  • 投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号