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SI2365EDS-T1-GE3_VISHAY/威世_MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III华来深一部

图片仅供参考，请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号：

    SI2365EDS-T1-GE3

  • 产品分类：

    IC芯片

  • 生产厂商：

    VISHAY

  • 库存数量：

    8560

  • 产品封装：

    SOT-23

  • 生产批号：

    23+

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2025-11-15 10:01:00

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原厂料号：SI2365EDS-T1-GE3品牌：VISHAY

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  • 芯片型号：

    SI2365EDS-T1-GE3

  • 规格书：

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  • 企业简称：

    VBSEMI【微碧半导体】详情

  • 厂商全称：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名称：

    微碧半导体（台湾）有限公司

  • 内容页数：

    9 页

  • 文件大小：

    466.15 kb

  • 资料说明：

    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    SI2365EDS-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商

  • 企业：

    深圳市华来深电子有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    朱先生 /林小姐

  • 手机：

    13751106682

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