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Vishay SiliconixTO2363 SC59 SOT233

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深圳市华斯顿科技有限公司

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深圳市恒创达实业有限公司

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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SI2327DS-T1-E3功能描述:MOSFET 200V 0.49A 1.25W 2.35 ohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2327DS-T1-GE3功能描述:MOSFET 200V 0.49A 1.25W 2.35ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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