| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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TASUND/泰盛达SOT-23 |
288000 |
2015+ |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-23 |
9500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23-3 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市海天鸿电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOT23 |
5000 |
2320+ |
只做原装,特价清货! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
278 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
7906200 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
5000 |
20+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOT23-3 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)SOT-23-3 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
9500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
200000 |
23+ |
有挂就有货,只做原装免费送样-可BOM配单 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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VishaySMD-6 |
14411 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
8454 |
1842+ |
只做原装正品 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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VISHAY威世半导体SOT-23-3(TO-236) |
40485 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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SI2319DS图片
SI2319DS-T1-E3价格
SI2319DS-T1-E3价格：￥1.2519品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI2319DS-T1-E3多少钱，想知道SI2319DS-T1-E3价格是多少？参考价：￥1.2519。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI2319DS-T1-E3批发价格及采购报价，SI2319DS-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI2319DS-T1-E3报价。
SI2319DS-T1-E3资讯
SI2319DS-T1-GE3芯片VISHAY代理商现货海天鸿电子科技；VISHAY集成电路芯片;深圳公司仓库现货，只做原装，假一罚十
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SI2319DS-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2319DS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40-V(D-S) MOSFET
SI2319DS-T1功能描述:MOSFET 40V 3.0A 0.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2319DS-T1-E3功能描述:MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2319DS-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
