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SI2304DDS-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter

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VBSEMI

微碧半导体

SI2304DDS-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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上传:深圳市福田区绿盛电子商行

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上传:深圳市富利微电子科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI2304DDS-T1-GE

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI2304DDS-T1-GE供应商 更新时间2025-11-1 14:03:00