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SI1972DH-T1-E3中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI1972DH-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
vishay |
2016+ |
SC70-6 |
6523 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
390 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-363 |
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VISHAY/威世 |
2023+ |
SOT-363 |
6895 |
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VISHAY |
2020+ |
SOT363 |
2248 |
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VISHAY |
SOT-363-6 |
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VISHAY |
12+ |
SOT363 |
2800 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-363 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-363-6 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
1026+ |
SOT363 |
29556 |
进口原带现货 |
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