| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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60599 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SC70-6 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SC706 |
7906200 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-363 |
6500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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原装VISHAYSOT363 |
18000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-363 |
6500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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504411 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOT363 |
48000 |
14+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
58005 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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Vishay/威世NA |
6500 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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Vishay(威世)N/A |
33800 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Vishay(威世)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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Vishay(威世)NA |
6500 |
22+ |
原厂原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
6500 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货，欢迎咨询 |
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SI1563DH图片
SI1563DH中文资料Alldatasheet PDF
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SI1563DH-T1功能描述:MOSFET 20V 1.28/1.0A 0.48W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1563DH-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 1.28/1.0A 16 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1563DH-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20V Low-Threshold MOSFET
SI1563DH-T1-GE3功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
