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SI1051

TITSSOP

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SI1051X-T1-GE3

vishayna

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SI1051X-T1-GE3

VISHAY/威世SOT563-6

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深圳市润联芯城科技有限公司

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SI1051X-T1-GE3

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SI1051X-T1-GE3

VISHAY-威世SOT-563

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SI1051XT1GE3

Vishay SiliconixSOT563 SOT666

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VISHAY/威世SOT-563

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SI1051XT1GE3

Vishay SiliconixSOT563 SOT666

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SI1051X-T1-GE3超小型管

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SI1051DL

VISHAY/威世SOT363

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京海半导体(深圳)有限公司

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SI1051X-T1-GE3

VISHAY/威世SOT563

10000

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Vishay SiliconixSOT563 SOT666

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SI1051X-T1-GE3

NK/南科功率SOT-563

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SI1051X-T1-GE3

VISHAY/威世SOT563

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SI1051X-T1-GE3超小型管

VISHAY/威世SOT563

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SI1051X-T1-GE3超小型管

VISHAY/威世SOT563

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深圳市科雨电子有限公司

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SI1051X-T1-GE3

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SI1051X-T1-E3功能描述:MOSFET 8.0V 1.2A 0.236W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI1051X-T1-GE3功能描述:MOSFET 8.0V 1.2A 0.236W 122 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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