选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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SHARPSOT23-6 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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VISHAYSOT23-6 |
4000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SC-89-6 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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VISHAY/威世SOT-563 |
33450 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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VISHAYSC89-6 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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SOT-563NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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VISHAY/原装SOT-666 |
30000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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VISHAYSC89-6 |
32568 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
4000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SOT-563 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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VISHAYSOT-666 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYSC89-6 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAYSOT-666 |
6000 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-666 |
10000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOT-666 |
3399 |
2023+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOT-666 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-666 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-666 |
4100 |
0432+ |
全新原装 实单必成 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOT-666 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
SI1035X-T1采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI1035X-T1图片
SI1035X-T1-GE3价格
SI1035X-T1-GE3价格:¥0.8561品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI1035X-T1-GE3多少钱,想知道SI1035X-T1-GE3价格是多少?参考价:¥0.8561。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI1035X-T1-GE3批发价格及采购报价,SI1035X-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI1035X-T1-GE3报价。
SI1035X-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI1035X-T1功能描述:MOSFET 20V 0.2/0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1035X-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 0.2/0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1035X-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 200/150mA 5.0/8.0ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube