| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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SHARPSOD723 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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SILICONIXSOD723 |
35680 |
23+ |
只做进口原装QQ:373621633 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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3000 |
自己现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
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vishayna |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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SILICONIX |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世SOT23-3 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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SILICONIXSOD723 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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VISHAYSC70-6 |
18656 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳兆威电子有限公司5年
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VISHAYSOT-563 |
90000 |
20+ |
原装正品现货/价格优势 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
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VISHAYSC70-6 |
54557 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
18250 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOD723 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SOT-23-3 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SC-89-6 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世sot363 |
9000 |
2122+ |
全新原装正品,优势渠道,价格美丽可做含税 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixSC896 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT23-3 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SC-89-6 |
45000 |
1925+ |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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SILICONIXSOD723 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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Vishay/SiliconixSOT-563 |
7500 |
07+/08+ |
SI1033X采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI1033X图片
SI1033X-T1价格
SI1033X-T1价格：￥0.7800品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI1033X-T1多少钱，想知道SI1033X-T1价格是多少？参考价：￥0.7800。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI1033X-T1批发价格及采购报价，SI1033X-T1销售排行榜及行情走势，SI1033X-T1报价。
SI1033X-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI1033X制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI1033X-T1功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1033X-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1033X-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
