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SI1032X-T1	文件：53.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low-Side Switching • Low On-Resistance: 5  • Low Threshold: 0.9 V (typ.) • Fast Switching Speed: 35 ns • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated • 2000 V ESD Protection • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC BENEFITS • Eas 文件：53.62 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI1032X-T1-E3	文件：121.49 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET 文件：121.49 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI1032X-T1-GE3	文件：121.49 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET 文件：121.49 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI1032X-T1-GE3	文件：199.42 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 1.5 V (G-S) MOSFET 文件：199.42 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
SI1032X-T1
功能描述：
MOSFET 20V 0.2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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