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SI1031R-T1-GE3中文资料MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V数据手册Vishay规格书
技术参数
- 型号:
SI1031R-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
12204 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
20+ |
SC-75A |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SC-75A |
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VISHAY |
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Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R |
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VISHAY/威世 |
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SC-75A |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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