| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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VISHAYSC75 |
4000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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SILICONLABSLGA-85 |
6000 |
17+ |
100%原装进口现货,欢迎来电咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SC75A |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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3000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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VISHAY/威世SOT523 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
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VISHAYSC-75A-3 (SOT-416) |
3000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)SC-75A |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SC-75A |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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3000 |
21+ |
SC-75A-3 (SOT-416) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYSC-75A-3 (SOT-416) |
15000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-523 |
41120 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
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VISHAYSOT353 |
1360 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
30000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)SC-75A |
60035 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市广弘电子有限公司3年
留言
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Si1021R-T1-GE3 MOS(场效应管)SOT-523 |
41120 |
2019+PB |
13632880263 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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SANYSOP-8 |
29898 |
2015+ |
专业代理DC-DC降压IC,型号齐全,公司优势产品 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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SANYSOP-8 |
362652 |
23+ |
降压IC原装现货优势产品 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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SANYSOP-8 |
13692 |
2018+ |
降压IC原装现货优势产品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
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Vishay SiliconixSC-75A |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOT523 |
12000 |
23+ |
全新原装,优势现货 |
SI1021采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI1021图片
SI1021R-T1-GE3价格
SI1021R-T1-GE3价格：￥0.5200品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI1021R-T1-GE3多少钱，想知道SI1021R-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.5200。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI1021R-T1-GE3批发价格及采购报价，SI1021R-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI1021R-T1-GE3报价。
SI1021R-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多Si1021-A-GM功能描述:射频微控制器 - MCU 64KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
Si1021-A-GMR功能描述:射频微控制器 - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
Si1021-B-GM功能描述:射频微控制器 - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
Si1021-B-GMR功能描述:射频微控制器 - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
SI1021R制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SC-75A
SI1021R_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V(D-S) MOSFET
SI1021R-T1功能描述:MOSFET 60V 0.19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1021R-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 0.19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1021R-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 190mA 250mW 700mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1021R-T1-GE3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:60V(D-S) P-CH MOSFET W/ESD PROTECT
