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厂商型号

SHN1B01FDW1T1G

功能描述

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

文件大小

69.2 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-11-11 17:42:00

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SHN1B01FDW1T1G规格书详情

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

PNP and NPN Surface Mount

特性 Features

• High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA

• High hFE: hFE = 200~400

• Moisture Sensitivity Level: 1

• ESD Rating

♦ Human Body Model: 3A

♦ Machine Model: C

• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and

PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant*

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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