Automotive-grade N-channel 650 V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET in an ACEPACK SMIT package

该器件在一个半桥拓扑中使用了两个MOSFET。ACEPACK SMIT功率模块小巧耐用，采用表面贴装式封装，便于组装。ACEPACK SMIT封装采用DBC基板，热阻极低，并配有独立的顶端隔热垫。这种封装具有极高的设计灵活性，可以对多个内部功率开关进行不同的组合，从而实现多个配置，包括相臂、升压和单个开关等。\n\n • 通过AQG 324认证 \n• 650 V闭锁电压 \n• 开关能量非常低 \n• 晶片位于直接敷铜 (DBC) 基板上 \n• 隔离额定值3.4 kVrms/min;

ST

意法半导体

高频管

POLYFET

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SOP20

SINOWEALTH

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2880

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LQFP

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