SGS5N150分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses.
SGS5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.
特性 Features
• High Speed Switching
• Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A
• High Input Impedance
Application
Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter
产品属性
- 产品编号：
SGS5N150UFTU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
5.5V @ 10V，5A
- 开关能量：
190µJ（开），100µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/30ns
- 测试条件：
600V，5A，10 欧姆，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220F-3
- 描述：
IGBT 1500V 10A 50W TO220F
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
25+23+ |
TO-220 |
16147 |
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ON Semiconductor |
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TO-220F |
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23+ |
TO220F |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO |
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FAIRCHILD仙童 |
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