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SGM400DCD10D3BTFD数据手册Silan中文资料规格书

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厂商型号

SGM400DCD10D3BTFD

功能描述

400A,1000V IGBT模块

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 12:43:00

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SGM400DCD10D3BTFD规格书详情

描述 Description

SGM400DCD10D3BTFD是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的三电平升压拓扑模块。该模块适用于光伏领域,具有高电流密度、低导通压降和高阻断电压等级,为严苛环境条件下的逆变器运行,提供更可靠的保障。



特性 Features

• 基于精细沟槽的FS-V技术,阻断电压达1050V
• 低VCE(sat)同时具备正温度系数
• 低开关损耗
• 采用铜底板技术

技术参数

  • 制造商编号

    :SGM400DCD10D3BTFD

  • 生产厂家

    :Silan

  • 拓扑结构

    :boost

  • BVCE

    :1050

  • Ic

    :400

  • VGE[th]

    :5.5

  • VCE(sat).typ@25℃

    :1.85

  • VF.typ@125℃

    :1.4

  • 产品等级

    :工业

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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