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SGL160N60UFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
SGL160N60UFD |
| 参数属性 | SGL160N60UFD 封装/外壳为TO-264-3，TO-264AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 160A 250W TO264 |
| 功能描述 | 600V，50A 短路额定 IGBT |
| 封装外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 18:28:00 |
| 人工找货 | SGL160N60UFD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SGL160N60UFD规格书详情
描述 Description
安森美半导体的 RUFD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗以及短路耐受性。RUFD 系列适用于电机控制、UPS 和短路耐受性为必需功能的通用逆变器。
特性 Features
•高速开关
•低饱和电压：V CE(sat) = 2.1 V @ I C = 80A
•高输入阻抗
•CO-PAK、IGBT及FRD：t rr= 75ns（典型值）
应用 Application
• 其他工业
简介
SGL160N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGL160N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
SGL160N60UFDTU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，80A
- 开关能量：
2.5mJ（开），1.76mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/90ns
- 测试条件：
300V，80A，3.9 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
- 供应商器件封装：
TO-264-3
- 描述：
IGBT 600V 160A 250W TO264
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
24+/25+ |
TO-264 |
3000 |
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24+ |
TO-264 |
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