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SGH10N60RUFD中文资料PDF规格书

厂商型号	SGH10N60RUFD
参数属性	SGH10N60RUFD 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 600V 16A 75W TO3P
功能描述	Short Circuit Rated IGBT
文件大小	598.59 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	Fairchild Semiconductor
企业简称	Fairchild【仙童半导体】
中文名称	飞兆/仙童半导体公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2024-5-29 19:04:00

SGH10N60RUFD规格书详情

General Description

Fairchilds RUFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. The RUFD series is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short circuit ruggedness is a required feature.

Features

• Short circuit rated 10us @ TC = 100°C, VGE = 15V

• High speed switching

• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 10A

• High input impedance

• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 42ns (typ.)

Applications

AC & DC motor controls, general purpose inverters,

robotics, and servo controls.

产品属性

产品编号：
SGH10N60RUFDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，10A
开关能量：
141µJ（开），215µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/36ns
测试条件：
300V，10A，20 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3PN
描述：
IGBT 600V 16A 75W TO3P

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