SGB07N120数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

英飞凌提供庞大的 IGBT 产品组合，解决软开关/谐振和硬开关拓扑。
 
 

特性 Features

• 较上一代产品能耗降低 30%
• 短路承受时间 – 10μs
• 设计用于 30kHz 以上应用
• 高稳健性和温度稳定性
• 无铅镀层；符合 RoHS
• 符合目标应用 JEDEC 标准

优势:

应用 Application

英飞凌提供丰富的 IGBT 产品组合，适用于各种通用逆变器、光伏逆变器、UPS、感觉加热、微波炉、电饭煲、焊接和 SMPS 领域。

简介

SGB07N120属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGB07N120晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。