SGB06N60数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
SGB06N60 |
| 参数属性 | SGB06N60 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 12A 68W TO263-3 |
| 功能描述 | Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 18:17:00 |
| 人工找货 | SGB06N60价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SGB06N60规格书详情
简介
SGB06N60属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGB06N60晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
SGB06N60ATMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，6A
- 开关能量：
215µJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/220ns
- 测试条件：
400V，6A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
PG-TO263-3-2
- 描述：
IGBT 600V 12A 68W TO263-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
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INFINEON |
2018+ |
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INFINEON |
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INFINEON |
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INFINEON/英飞凌 |
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英飞凌|Infineon |
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TO-263 |
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INFINEON |
24+ |
P-TO263-3-2 |
8866 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
PG-TO263-3 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
