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SG73P2ATTD2001F电阻器的片式电阻器-表面贴装规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SG73P2ATTD2001F |
| 参数属性 | SG73P2ATTD2001F 封装/外壳为0805（2012 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为电阻器的片式电阻器-表面贴装；产品描述：RES 2K OHM 1% 1/4W 0805 |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistor |
| 封装外壳 | 0805（2012 公制） |
| 文件大小 |
362.83 Kbytes |
| 页面数量 |
20 页 |
| 生产厂商 | 恩XP |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-17 15:01:00 |
| 人工找货 | SG73P2ATTD2001F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SG73P2ATTD2001F规格书详情
N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET
This 2 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station
applications covering the frequency range of 728 to 960 MHz.
特性 Features
• Greater negative gate−source voltage range for improved Class C
operation
• On−chip matching (50 ohm input, DC blocked)
• Integrated quiescent current temperature compensation with
enable/disable function (1)
• Integrated ESD protection
产品属性
- 产品编号：
SG73P2ATTD2001F
- 制造商：
ETC
- 类别：
电阻器 > 片式电阻器 - 表面贴装
- 系列：
SG73P
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 容差：
±1%
- 功率 (W)：
0.25W，1/4W
- 成分：
厚膜
- 特性：
汽车级 AEC-Q200，防潮，防脉冲
- 温度系数：
±100ppm/°C
- 工作温度：
-55°C ~ 155°C
- 封装/外壳：
0805（2012 公制）
- 供应商器件封装：
805
- 等级：
AEC-Q200
- 大小 / 尺寸：
0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）
- 高度 - 安装（最大值）：
0.024"（0.60mm）
- 描述：
RES 2K OHM 1% 1/4W 0805
