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SG2823中文资料Driver - Medium Current Array Darlington Transistor Array 95V 500mA PMOS, CMOS数据手册Microchip规格书

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厂商型号

SG2823

参数属性

SG2823 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP

功能描述

Driver - Medium Current Array Darlington Transistor Array 95V 500mA PMOS, CMOS
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:34:00

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SG2823规格书详情

描述 Description

Microchip Ordering Part  Standard Microcircuit Drawing (SMD) SG2823J-DESC Cross Reference 5962-8968501VASG2823J-DESC Cross Reference 5962-8968501VXSG2823L-DESC Cross Reference 5962-89685012ASG2823L-DESC Cross Reference 5962-89685012X

特性 Features

Eight NPN Darlington Pairs
Collector Currents to 600mA
Output Voltages from 50V to 95V
Internal Clamping Diodes for Inductive loads
DTL, TTL, PMOS, or CMOS Compatible inputs

简介

SG2823属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由制造生产的SG2823晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    SG2823J-883B

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    8 NPN 达林顿

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    500mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    95V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.6V @ 500µA,350mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 350mA,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    18-CDIP

  • 描述:

    TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP

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