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SG2813分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF中文资料

SG2813
厂商型号

SG2813

参数属性

SG2813 封装/外壳为18-CDIP(0.300",7.62mm);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H

功能描述

HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS

封装外壳

18-CDIP(0.300",7.62mm)

文件大小

253.57 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 16:12:00

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SG2813规格书详情

Description

Cross reference to 5962-86058012A, 5962-86058012, 86058012

The SG2800 series integrates eight NPN Darlington pairs with internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in many military, aerospace, and industrial applications that require severe environments. All units feature open collector outputs with greater than 50V breakdown voltages combined with 500mA current carrying capabilities. Five different input configurations provide optimized designs for interfacing with DTL, TTL, PMOS, or CMOS drive signals. These devices are designed to operate from -55°C to 125°C ambient temperature in a 18-pin dual in-line ceramic (J) package and 20-pin leadless chip carrier (LCC).

Key Features:

• Eight NPN Darlington pairs

• Collector currents to 600mA

• Output voltages from 50V to 95V

• Internal clamping diodes for inductive loads

• DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs

• Hermetic ceramic package

产品属性

  • 产品编号:

    SG2813J-883B

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    8 NPN 达林顿

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    600mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    50V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.9V @ 600µA,500mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    18-CDIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    18-CERDIP

  • 描述:

    DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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