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SG2803J-883B数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF

厂商型号 |
SG2803J-883B |
参数属性 | SG2803J-883B 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP |
功能描述 | High-Reliability Transistors |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 11:37:00 |
人工找货 | SG2803J-883B价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
SG2803J-883B规格书详情
描述 Description
The SG2800 series integrates eight NPN Darlington pairs with internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in many military, aerospace, and industrial applications that require severe environments. All units feature open collector outputs with greater than 50V breakdown voltages combined with 500mA current carrying capabilities. Five different input configurations provide optimized designs for interfacing with DTL, TTL, PMOS, or CMOS drive signals. These devices are designed to operate from -55°C to 125°C ambient temperature in a 18-pin dual in-line ceramic (J) package and 20-pin leadless chip carrier (LCC).Key Features:
• Eight NPN Darlington pairs
• Collector currents to 600mA
• Output voltages from 50V to 95V
• Internal clamping diodes for inductive loads
• DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs
• Hermetic ceramic package
简介
SG2803J-883B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由制造生产的SG2803J-883B晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
技术参数
更多- 产品编号:
SG2803J-883B
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
8 NPN 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
500mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
50V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.6V @ 500µA,350mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 350mA,2V
- 工作温度:
-55°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:
通孔
- 供应商器件封装:
18-CDIP
- 描述:
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MSC |
22+ |
CLCC |
12245 |
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询价 | ||
SG |
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MSC |
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MSC |
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MICROSEMI/美高森美 |
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CDIP18 |
260 |
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24+ |
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MICROSEMI专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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