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SGM2014	文件：569.95 Kbytes Page：11 Pages	LowPower,LowDropout,250mA,RF-LinearRegulators GENERALDESCRIPTION TheSGM2014serieslow-power,low-noise,low-dropout,CMOSlinearvoltageregulatorsoperatefroma2.5Vto5.5Vinputanddeliverupto250mA.Theyaretheperfectchoiceforlowvoltage,lowpowerapplications. FEATURES -LowOutputNoise:30µVRMSTYP(10Hzto100kHz) -Ul	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SGM2014	文件：107.43 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDualGateMESFET? Description TheSGM2014MisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingTVtuners,cellularradios,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.5dB(typ.)at900MHz •	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2014	文件：57.15 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDualGateMESFET Description TheSGM2014ANisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingTVtuners,cellularradios,andDBSIFamplifiers. Features •Ultrasmallpackage •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2014	文件：51.59 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDualGateMESFET Description TheSGM2014AMisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingTVtuners,cellularradios,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.5dB(typ.)at900MHz •	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2014AM	文件：51.59 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDualGateMESFET Description TheSGM2014AMisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingTVtuners,cellularradios,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.5dB(typ.)at900MHz •	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2014AN	文件：57.15 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDualGateMESFET Description TheSGM2014ANisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingTVtuners,cellularradios,andDBSIFamplifiers. Features •Ultrasmallpackage •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2014M	文件：107.43 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDualGateMESFET? Description TheSGM2014MisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingTVtuners,cellularradios,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.5dB(typ.)at900MHz •	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SM2014NSKP	文件：292.61 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM2014NSKPC-TRG	文件：292.61 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM2014NSU	文件：265.54 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER

详细参数

型号：
SG2014L
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
SG2014L - Bulk

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