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A9230-C	文件：85.75 Kbytes Page：2 Pages	13.56MHzDesk-TopReaderSystem 13.56MHzDesk-TopReaderSystem AMIC’sA9230-C-000desk-topreadersystemisaflexibleandcosteffective13.56MHzcontactlessreadersystemforshortdistanceRFIDapplications. Feature ●ISO-15693protocolstandard ●Operatingdistanceupto15cm(dependontranspondertype) ●RS-232Inte	AMICC 欧密格江苏欧密格光电科技股份有限公司
A9230-D	文件：115.84 Kbytes Page：2 Pages	13.56MHzDesk-TopReaderSystem 13.56MHzDesk-TopReaderSystem AMIC’sA9230-Ddesk-topreaderfamilyisaflexibleandcosteffective13.56MHzcontactlessreadersystemforshortrangeRFIDapplications.Threemodelsareavailabletoofferdifferentuserinterfaces:USB,RS-232,orRS-485.A9230-Dreaderfamilycansupportsup	AMICC 欧密格江苏欧密格光电科技股份有限公司
AD9230	文件：1.98786 Mbytes Page：33 Pages	1.8VAnalog-to-DigitalConverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD9230	文件：2.42225 Mbytes Page：21 Pages	12-Bit,170/210/250MSPS1.8VA/DConverter PRODUCTDESCRIPTION TheAD9230isa12-bitmonolithicsamplinganalog-to-digitalconverteroptimizedforhighperformance,lowpower,andeaseofuse.Theproductoperatesuptoa250MSPSconversionrateandisoptimizedforoutstandingdynamicperformanceinwidebandcarrierandbroadbandsyste	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AS9230	文件：71.5 Kbytes Page：1 Pages	BRACKET-ANGLE90째,.190X.312BOLT	UMPCOUMPCO, Inc. UMPCO
BM9230	文件：277.82 Kbytes Page：8 Pages	CMOSLDO	booklyShanghai Baili Microelectronics Co., Ltd 百力微电子上海百力微电子股份有限公司
C9230A	文件：70.14 Kbytes Page：1 Pages	3C18AWG16/30TCPVC/OAS/Braid/PVC	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司
DA9230	文件：1.84493 Mbytes Page：47 Pages	Ultra-LowQuiescentCurrentBuck	Dialog Dialog
DA9230	文件：2.02054 Mbytes Page：48 Pages	Ultra-LowQuiescentCurrentBuck KeyFeatures ■300mAbuckregulator □750nAtotalinputcurrent(buckenabled noload) □Upto81efficiencyat1.8Voutput, 10μAloadcurrents □Inputvoltage2.5Vto5.5V(Minimum 2.75Vforstartup) □Outputvoltage0.6Vto1.9V □DynamicVoltageControl(DVC) ■I2Cinterface	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
FRL9230D	文件：47.58 Kbytes Page：6 Pages	3A,-200V,1.30Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessr	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRL9230H	文件：47.58 Kbytes Page：6 Pages	3A,-200V,1.30Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessr	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRL9230R	文件：47.58 Kbytes Page：6 Pages	3A,-200V,1.30Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessr	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRM9230D	文件：57.53 Kbytes Page：6 Pages	4A,-200V,1.30Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheHarrisSemiconductorSectorhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)with	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRM9230H	文件：57.53 Kbytes Page：6 Pages	4A,-200V,1.30Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheHarrisSemiconductorSectorhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)with	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRM9230R	文件：57.53 Kbytes Page：6 Pages	4A,-200V,1.30Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheHarrisSemiconductorSectorhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)with	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRS9230D	文件：49.7 Kbytes Page：6 Pages	4A,-200V,1.32Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessrangi	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRS9230H	文件：49.7 Kbytes Page：6 Pages	4A,-200V,1.32Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessrangi	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FRS9230R	文件：49.7 Kbytes Page：6 Pages	4A,-200V,1.32Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessrangi	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FSL9230D	文件：46.11 Kbytes Page：8 Pages	3A,-200V,1.50Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FSL9230R	文件：46.11 Kbytes Page：8 Pages	3A,-200V,1.50Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社

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详细参数

型号：
SFU9230BTU
功能描述：
MOSFET P-CH/200V/5.4A/0.8HM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SFU9230BTU供应商更新时间2024-4-28 17:16:00

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