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SFT2010/3数据手册SSDI中文资料规格书

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厂商型号

SFT2010/3

功能描述

200 A,100 V High Energy NPN Transistor

制造商

SSDI Solid States Devices, Inc

数据手册

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更新时间

2025-8-9 16:01:00

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SFT2010/3规格书详情

特性 Features

• BVCBO = 250 V MIN
• 600 Watts Power Dissipation
• Excellent SOA Curve
• Es/b of 800 mJ
• Gain of over 5 at 200 A
• High Reliability Construction
• Planar Chip Construction with Low Leakage and Very Fast Switching
• TX, TXV, S-Level Screening Available

技术参数

  • 制造商编号

    :SFT2010/3

  • 生产厂家

    :SSDI

  • Ic [A]

    :200.00

  • Hfe min

    :5

  • Hfe typ

    :N/A

  • Hfe max

    :N/A

  • Pd [W]

    :600.00

  • t(off) min [nsec]

    :N/A

  • t(off) typ [nsec]

    :N/A

  • t(off) max [nsec]

    :1900

  • fT min [MHz]

    :30.00

  • fT typ [MHz]

    :N/A

  • fT max [MHz]

    :N/A

  • Package

    :TO-3

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