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SFS9Z14	文件：230.85 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175°COperatingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-60V ●LowRDS(ON):0.362Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFS9Z14	文件：928.45 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SFS9Z14	文件：271.65 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFWI9Z14	文件：278.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=-60V RDS(on)=0.5Ω ID=-6.7A FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●175℃OperatingTemperature ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SiHF9Z14	文件：277.14 Kbytes Page：9 Pages	RepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9Z14	文件：955.62 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SiHF9Z14	文件：277.86 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9Z14L	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surface-mount(IRF9Z14S,SiHF9Z14S) •Low-profilethrough-hole(IRF9Z14L,SiHF9Z14L) •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •P-channel •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9Z14L	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9Z14S	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surface-mount(IRF9Z14S,SiHF9Z14S) •Low-profilethrough-hole(IRF9Z14L,SiHF9Z14L) •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •P-channel •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SFS9Z14
功能描述：
MOSFET P-CH/60V/5.3A/0.5OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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