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SFR2955TM	文件：959.59 Kbytes Page：4 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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SFRU2955	文件：260.1 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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SFU2955	文件：345.42 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFW2955	文件：250.44 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ■LowRDS(ON):0.22Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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SPX2955	文件：184.72 Kbytes Page：9 Pages	350mALowDropOutVoltageRegulatorwithShutdown PRODUCTDESCRIPTION TheSPX2955/56/57isalowpowervoltageregulator.Thisdeviceisanexcellentchoiceforuseinbattery-poweredapplicationssuchascordlesstelephones,radiocontrolsystems,andportablecomputers.TheSPX2955/56/57featuresverylowquiescentcurrent(100µATyp.)andver	SipexSipex Corporation 西伯斯西伯斯公司	Sipex

详细参数

型号：
SFR2955TM
功能描述：
MOSFET P-CH/60V/7.6A/0.3OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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