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SFR2955TM

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -60V, ID= -20A RDS(ON)

文件:959.59 Kbytes 页数:4 Pages

Bychip

百域芯

SFRSLASHU2955

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = -60V ■ Lower RDS(ON) : 0.22 Ω (Typ.)

文件:261.7 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SFRU2955

Advanced Power MOSFET

文件:260.1 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SFRU2955

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = -60V ■ Lower RDS(ON) : 0.22 Ω (Typ.)

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

  • 型号:

    SFR2955TM

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH/60V/7.6A/0.3OHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SFR2955TM供应商 更新时间2025-10-13 10:22:00