SFH640-3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
SFH640-3规格书详情
DESCRIPTION
The SFH640 has a GaAs infrared emitting diode emitter, which is optically coupled to a silicon planar phototransistor detector, and is incorporated in a plastic DIP-6 package.
It features a high current transfer ratio, low coupling capacitance, and high isolation voltage.
The coupling device is designed for signal transmission between two electrically separated circuits.
FEATURES
• Phototransistor optocoupler in a 6 pin DIP package with base connection
• Very high collector emitter breakdown voltage, BVCEO = 300 V
• Isolation rated voltage: 5000 VRMS
• Low coupling capacitance
• High common m;ode transient immunity
• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Telecom
• Industrial controls
• Battery powered equipment
• Office machines
• Programmable controllers
产品属性
- 型号：
SFH640-3
- 功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 输入类型：
DC
- 最大集电极/发射极电压：
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
- 绝缘电压：
5300 Vrms
- 电流传递比：
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压：
1.65 V
- 最大输入二极管电流：
60 mA
- 最大集电极电流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 110 C
- 最小工作温度：
- 55 C
- 封装/箱体：
DIP-4
- 封装：
Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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