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SFF9140	文件：209.04 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ❐ Avalanche Rugged Technology ❐ Rugged Gate Oxide Technology ❐ Lower Input Capacitance ❐ Improved Gate Charge ❐ 175oC Operating Temperature ❐ Extended Safe Operating Area ❐ Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = -100V ❐ Lower RDS(ON) : 0.161 Ω (Typ.) 文件：209.04 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFF9140	文件：219.15 Kbytes Page：2 Pages	-18 AMP -100 VOLTS 0.20 ohm P-Channel Power MOSFET FEATURES: • Rugged construction with poly silicon gate • Low RDS(on) and high transconductance • Excellent high temperature stability • Very fast switching speed • Fast recovery and superior dv/dt performance • Increased reverse energy capability • Low input and transfer capacitance for eas 文件：219.15 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
SFF9140	文件：265.68 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：265.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SFF9140	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFF9140/3	文件：223.94 Kbytes Page：2 Pages	-18 AMP -100 VOLTS 0.20 ohm P-Channel Power MOSFET 文件：223.94 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
SFF9140-28	文件：223.17 Kbytes Page：2 Pages	-18 AMP -100 VOLTS 0.20 ohm P-Channel Power MOSFET 文件：223.17 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
SFF9140-3	文件：223.94 Kbytes Page：2 Pages	-18 AMP -100 VOLTS 0.20 ohm P-Channel Power MOSFET 文件：223.94 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
SFF9140C	文件：229.84 Kbytes Page：2 Pages	-18 AMP -100 VOLTS 0.20 ohm P-Channel Power MOSFET 文件：229.84 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
SFF9140J	文件：66.17 Kbytes Page：2 Pages	-18 AMP -100 VOLTS 0.20 ohm P-Channel Power MOSFET 文件：66.17 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
SFF9140M	文件：224.12 Kbytes Page：2 Pages	-18 AMP -100 VOLTS 0.20 ohm P-Channel Power MOSFET 文件：224.12 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI

详细参数

型号：
SFF9140
功能描述：
MOSFET P-Ch/100V/13a/0.2Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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