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SFF2007GA	文件：860.46 Kbytes Page：2 Pages	20.0 Amperes Insulated Dual Common Anode Super Fast Recovery Rectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
SFF2007GD	文件：860.7 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmperesInsulatedDualDoublerPolaritySuperFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
SFF2007GS	文件：860.86 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmperesInsulatedDualSeriesConnectionSuperFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
SG2007	文件：415.51 Kbytes Page：6 Pages	ELECTROHYDRAULICBRAKING OVERVIEW Electrohydraulicbraking(EHB)systemsaredesignedtoallowelectroniccontrolofvehiclebrakingwhileretainingareducedhydraulicsystem.Thehydraulicsystemfunctionsasareserveintheeventofafailureintheelectroniccontrol. TheEHBcontrolunitreceivesinputsfroms	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
SG2007D	文件：415.51 Kbytes Page：6 Pages	ELECTROHYDRAULICBRAKING OVERVIEW Electrohydraulicbraking(EHB)systemsaredesignedtoallowelectroniccontrolofvehiclebrakingwhileretainingareducedhydraulicsystem.Thehydraulicsystemfunctionsasareserveintheeventofafailureintheelectroniccontrol. TheEHBcontrolunitreceivesinputsfroms	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
SGM2007	文件：579.91 Kbytes Page：11 Pages	LowPower,LowDropout,300mA,RF-LinearRegulators GENERALDESCRIPTION TheSGM2007/Aserieslow-power,low-noise,low-dropout,CMOSlinearvoltageregulatorsoperatefroma2.5Vto5.5Vinputanddeliverupto300mA.Theyaretheperfectchoiceforlowvoltage,lowpowerapplications.Anultralowgroundcurrent（200µAat300mAoutput)makesthe	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SGM2007A	文件：579.91 Kbytes Page：11 Pages	LowPower,LowDropout,300mA,RF-LinearRegulators GENERALDESCRIPTION TheSGM2007/Aserieslow-power,low-noise,low-dropout,CMOSlinearvoltageregulatorsoperatefroma2.5Vto5.5Vinputanddeliverupto300mA.Theyaretheperfectchoiceforlowvoltage,lowpowerapplications.Anultralowgroundcurrent（200µAat300mAoutput)makesthe	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SMG2007-C	文件：641.12 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSD2007	文件：181.77 Kbytes Page：5 Pages	DualN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ❐ExtremelyLowerRDS(ON) ❐ImprovedInductiveRuggedness ❐FastSwitchingTimes ❐RuggedPolysiliconGateCellStructure ❐LowInputCapacitance ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐ImprovedHighTemperatureReliability ❐SurfaceMoundingPackage:8SOP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSD2007A	文件：181.77 Kbytes Page：5 Pages	DualN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ❐ExtremelyLowerRDS(ON) ❐ImprovedInductiveRuggedness ❐FastSwitchingTimes ❐RuggedPolysiliconGateCellStructure ❐LowInputCapacitance ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐ImprovedHighTemperatureReliability ❐SurfaceMoundingPackage:8SOP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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