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SES8619AG数据手册Winsemi中文资料规格书

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厂商型号

SES8619AG

功能描述

双栅功率MOS管

制造商

Winsemi Shenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

中文名称

稳先微电子 深圳市稳先微电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-13 23:01:00

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SES8619AG规格书详情

描述 Description

SES8619AG 采用稳先微电子与VIS联合开发的DOUBLEGATETM MOS技术制造,开关损耗较低,同时拥有较好的均一性和稳定性,可广泛应用于锂电池保护,同步整流,DC/DC变换器等应用。

特性 Features

• 100V, 21A
• RDS(ON) = 9.5mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 20A
• 低 RDS(on) & FOM
• 低开关损耗
• 兼顾稳定性与均一性
• 100% UIS测试 , 100% △VDS 测试


技术参数

  • 制造商编号

    :SES8619AG

  • 生产厂家

    :Winsemi

  • Configuration

    :Single

  • Type

    :N

  • ESD

    :NO

  • VDS (V)

    :100

  • ID(A)

    :21

  • VGS(±V)

    :20

  • Rds(on)@VG=10V Typ. (mΩ)

    :8.4

  • Rds(on)@VG=10V Max. (mΩ)

    :9.5

  • Rds(on)@VG=4.5V Typ. (mΩ)

    :11.6

  • Rds(on)@VG=4.5V Max. (mΩ)

    :13.5

  • VGS(TH) Min. (V)

    :1

  • VGS(TH) Typ. (V)

    :2

  • VGS(TH) Max. (V)

    :3

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