SEP8506中文资料GaAs Infrared Emitting Diode数据手册Honeywell规格书
| 厂商型号 |
SEP8506 |
| 参数属性 | SEP8506 封装/外壳为径向，3mm 直径（T-1）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为光电器件的LED发射器-红外紫外可见光；产品描述：EMITTER IR 935NM 50MA RADIAL |
| 功能描述 | GaAs Infrared Emitting Diode |
| 封装外壳 | 径向，3mm 直径（T-1） |
| 制造商 | Honeywell Honeywell Solid State Electronics Center |
| 中文名称 | 霍尼韦尔 霍尼韦尔国际 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
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技术参数
- 产品编号：
SEP8506-002
- 制造商：
Honeywell Sensing and Productivity Solutions
- 类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 类型：
红外（IR）
- 电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
50mA
- 不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
0.33mW/cm² @ 20mA
- 波长：
935nm
- 电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.5V
- 视角：
50°
- 方向：
侧视图
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
径向，3mm 直径（T-1）
- 描述：
EMITTER IR 935NM 50MA RADIAL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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