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SEP4R3N10AGH中文资料双栅功率MOS管数据手册Winsemi规格书
SEP4R3N10AGH规格书详情
描述 Description
SEP4R3N10AGH 采用稳先微电子双栅MOS技术制造，开关损耗较低，同时拥有较好的均一性和稳定性，可广泛应用于锂电池保护,同步整流,DC/DC变换器等应用。
特性 Features
• 100V, 120A
• 低 RDS(on) & FOM
• 优秀的稳定性与均一性
• 100% UIS测试 , 100% △VDS 测试
技术参数
- 制造商编号
：SEP4R3N10AGH
- 生产厂家
：Winsemi
- Configuration
：Single
- Type
：N
- ESD
：NO
- VDS (V)
：100
- ID(A)
：120
- VGS(±V)
：20
- Rds(on)@VG=10V Typ. (mΩ)
：4.5
- Rds(on)@VG=10V Max. (mΩ)
：5.5
- Rds(on)@VG=4.5V Typ. (mΩ)
：-
- Rds(on)@VG=4.5V Max. (mΩ)
：-
- VGS(TH) Min. (V)
：2
- VGS(TH) Typ. (V)
：3
- VGS(TH) Max. (V)
：4
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