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SEP15RN10AG中文资料双栅功率MOS管数据手册Winsemi规格书

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厂商型号

SEP15RN10AG

功能描述

双栅功率MOS管

制造商

Winsemi Shenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

中文名称

稳先微电子 深圳市稳先微电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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SEP15RN10AG规格书详情

描述 Description

SEP15RN10AG 采用稳先微电子与VIS联合开发的DOUBLEGATETM MOS技术制造,开关损耗较低,同时拥有较好的均一性和稳定性,可广泛应用于锂电池保护,同步整流,DC/DC变换器等应用。

特性 Features

• 100V, 50A
• RDS(ON) = 15mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 20A
• 低 RDS(on) & FOM
• 极低的开关损耗
• 优秀的稳定性与均一性
• 100% UIS测试 , 100% △VDS 测试

技术参数

  • 制造商编号

    :SEP15RN10AG

  • 生产厂家

    :Winsemi

  • Configuration

    :Single

  • Type

    :N

  • ESD

    :NO

  • VDS (V)

    :100

  • ID(A)

    :50

  • VGS(±V)

    :20

  • Rds(on)@VG=10V Typ. (mΩ)

    :13

  • Rds(on)@VG=10V Max. (mΩ)

    :15

  • Rds(on)@VG=4.5V Typ. (mΩ)

    :20

  • Rds(on)@VG=4.5V Max. (mΩ)

    :24

  • VGS(TH) Min. (V)

    :1

  • VGS(TH) Typ. (V)

    :2

  • VGS(TH) Max. (V)

    :2.5

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