SEG9599AG中文资料双栅功率MOS管数据手册Winsemi规格书
SEG9599AG规格书详情
描述 Description
SEG9599AG采用稳先微电子与VIS联合开发的DOUBLEGATETM MOS技术制造，开关损耗较低，同时拥有较好的均一性和稳定性，可广泛应用于锂电池保护,同步整流,DC/DC变换器等应用。
特性 Features
100V, 29A
RDS(ON) = 23mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 15A
低导通电阻
极低的开关损耗
优秀的稳定性与均一性
100% UIS测试 , 100% △VDS 测试
符合RoHS和无卤标准
技术参数
- 制造商编号
：SEG9599AG
- 生产厂家
：Winsemi
- Configuration
：Single
- Type
：N
- ESD
：NO
- VDS (V)
：100
- ID(A)
：20
- VGS(±V)
：20
- Rds(on)@VG=10V Typ. (mΩ)
：19.5
- Rds(on)@VG=10V Max. (mΩ)
：23
- Rds(on)@VG=4.5V Typ. (mΩ)
：27
- Rds(on)@VG=4.5V Max. (mΩ)
：33
- VGS(TH) Min. (V)
：1.2
- VGS(TH) Typ. (V)
：1.8
- VGS(TH) Max. (V)
：2.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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