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VB1330X	文件：650.77 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB1330X	文件：664.74 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBBD1330D	文件：672.69 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WM1330	文件：171 Kbytes Page：3 Pages	2.36mm(.093)DiameterStandard.093PinandSocketPlugHousing,12Circuits,3Rows	MOLEX1Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX1
WM1330-ND	文件：171 Kbytes Page：3 Pages	2.36mm(.093)DiameterStandard.093PinandSocketPlugHousing,12Circuits,3Rows	MOLEX1Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX1
YRS-1330	文件：1.01138 Mbytes Page：9 Pages	Crimpingmachinesandtools	JSTJST Mfg. Co., Ltd. JST集团日本圧着端子製造株式会社	JST
Z1330	文件：22.7 Kbytes Page：1 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200VoltsPD:1Watt FEATURES: Completevoltagerange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
Z1330	文件：397.584 Kbytes Page：3 Pages	AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
Z1330A	文件：107.36 Kbytes Page：5 Pages	1.0WZENERDIODE GlassPassivatedDieConstruction 1.0WPowerDissipation 3.3V–330VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance ForUseinVoltageRegulatororReference PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
Z1330A	文件：394.369 Kbytes Page：3 Pages	1W330VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

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