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SE8209(ESD)中文资料MOS(场效应管)数据手册SINO-IC规格书

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厂商型号

SE8209(ESD)

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

SINO-IC SINO-IC Microelectronic Co., Ltd.

中文名称

光宇睿芯微 上海光宇睿芯微电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 13:38:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :SE8209(ESD)

  • 生产厂家

    :SINO-IC

  • 漏源电压(Vdss)

    :20V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :1.5V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :26 mΩ @ 5A,4V

  • 类型

    :2 个 N 沟道(双)

  • 功率耗散(最大值)

    :1.5W

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