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SE701

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances, re

文件:36.63 Kbytes 页数:2 Pages

POLYFET

SE701

VDMOS SHORTFORM S1

Polyfet RF Devices

SE701_14

RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件:61.52 Kbytes 页数:2 Pages

POLYFET

SGAS701

Trace Hydrogen Sensor

文件:714.53 Kbytes 页数:16 Pages

IDT

SGAS701

Trace Hydrogen (H2)Sensor

文件:902.22 Kbytes 页数:17 Pages

RENESAS

瑞萨

SJ701

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE

文件:57.34 Kbytes 页数:2 Pages

POLYFET

晶体管资料

  • 型号:

    SE7010

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    视频输出 (Vid)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    150V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF258,BF337,BF658,3DG180D,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    150

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0.8

详细参数

  • 型号:

    SE701

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全称:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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POLYFET
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更多SE701供应商 更新时间2026-1-17 10:04:00