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SE2101E中文资料MOS(场效应管)数据手册SINO-IC规格书

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厂商型号

SE2101E

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

SINO-IC SINO-IC Microelectronic Co., Ltd.

中文名称

光宇睿芯微 上海光宇睿芯微电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :SE2101E

  • 生产厂家

    :SINO-IC

  • 漏源电压(Vdss)

    :20V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :1V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :300 mΩ @ 800mA,4.5V

  • 类型

    :P 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :250mW

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