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SE	文件：692.73 Kbytes Page：5 Pages	型号：1SMA250；SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司
SE	文件：148.71 Kbytes Page：5 Pages	型号：1SMA26AT3G；Package：SMB；400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors 400WattPeakPowerZenerTransientVoltageSuppressors Unidirectional* TheSMAseriesisdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighvoltage,highenergytransients.Theyhaveexcellentclampingcapability,highsurgecapability,lowzenerimpedanceandfastresponsetime.TheSM	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SE	文件：723.05 Kbytes Page：5 Pages	型号：1SMA26AT3G；The 1SMA5.0AT3G series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage Description The1SMA5.0AT3Gseriesisdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighvoltage,highenergytransients.Theyhaveexcellentclampingcapability,highsurgecapability,lowzenerimpedanceandfastresponsetime.The1SMA5.0AT3GseriesissuppliedintheLittelfuseexclus	Littelfuselittelfuse 力特力特公司
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SE	文件：131.6 Kbytes Page：5 Pages	型号：1SMA26AT3G；Package：SMB；400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional 400WattPeakPowerZenerTransientVoltageSuppressors Unidirectional TheSMAseriesisdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighvoltage,highenergytransients.Theyhaveexcellentclampingcapability,highsurgecapability,lowzenerimpedanceandfastresponsetime.TheSMA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SE	文件：615.77 Kbytes Page：9 Pages	型号：2PB710ARL；Package：SOT23；50 V, 500 mA PNP general-purpose transistors Features General-purposetransistors Twocurrentgainselections AEC-Q101qualified SmallSMDplasticpackage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
SE	文件：523.5 Kbytes Page：9 Pages	型号：74AHC1G00QSE-7；Package：SOT353；SINGLE 2-INPUT POSITIVE NAND GATE Features Grade1AmbientTemperatureOperation:-40°Cto+125°C SupplyVoltageRangefrom2.0Vto5.5V ±8mAOutputDriveat4.5V CMOSLow-PowerConsumption SchmittTriggerActionatAllInputsMaketheCircuitTolerantfor SlowerInputRiseandFallTime InputsnotLimitedbyVC	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
SE	文件：528.37 Kbytes Page：9 Pages	型号：74AHC1G02QSE-7；Package：SOT353；SINGLE 2-INPUT POSITIVE NOR GATE Features Grade1AmbientTemperatureOperation:-40°Cto+125°C SupplyVoltageRangefrom2.0Vto5.5V ±8mAOutputDriveat4.5V CMOSLow-PowerConsumption SchmittTriggerActionatAllInputsMaketheCircuitTolerantfor SlowerInputRiseandFallTime InputsnotLimitedbyVC	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
SE	文件：521.01 Kbytes Page：9 Pages	型号：74AHC1G04QSE-7；Package：SOT353；SINGLE INVERTER GATE Features Grade1AmbientTemperatureOperation:-40°Cto+125°C SupplyVoltageRangefrom2.0Vto5.5V ±8mAOutputDriveat4.5V CMOSLow-PowerConsumption SchmittTriggerActionatAllInputsMaketheCircuitTolerantfor SlowerInputRiseandFallTime InputsNotLimitedbyVC	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
SE	文件：751.91 Kbytes Page：4 Pages	型号：B0530W；Package：SOD-123；SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES LowForwardVoltageDrop GuardRingConstructionforTransientProtection HighConductance AlsoAvailableinLeadFreeVersion	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司

详细参数

型号：
SE
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 400W Unidirectional
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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