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SiHF630	文件：283.3 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF630S	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF630S	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFI630G	文件：1.55776 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHL630	文件：1.92247 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200V RDS(on)(Ω)VGS=5V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHL630S	文件：226.54 Kbytes Page：9 Pages	AvailableinTapeandReel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHL630S	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •150°Coperatingtemperature •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHLI630G	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIL630	文件：336.87 Kbytes Page：1 Pages	SMTPowerInductor Features ■RoHScompliant. ■Magneticallyshielded. ■Idealforpowersourcecircuits,DC-DCconverter,DC-ACinvertersinductorapplication. ■Inadditiontothestandardversionsshownhere,customizedinductorsareavailabletomeetyourexactrequirements.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
SIL630	文件：172.6 Kbytes Page：1 Pages	SMTPowerInductor	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta

详细参数

型号：
SDTA-630-R
功能描述：
触觉开关 12volt 50mA 6mm Right Angle
RoHS：
否
制造商：
C&K Components
工作力：
2 N
执行器：
Round
电流额定值：
50 mA 电压额定值
DC：
32 V 电压额定值
功率额定值：
1 VA
接地端子：
Yes
触点形式：
SPST-NO
安装风格：
SMD/SMT
安装方向：
Right
照明：
Not Illuminated

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SDTA-630-R供应商更新时间2025-5-24 16:06:00

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