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T8151NL	文件：64 Kbytes Page：1 Pages	COMMONMODECHOKESForTelecomApplications,ExtendedTemperatureRange	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
TD-8151	文件：90 Kbytes Page：5 Pages	MICROWAVENOISETUBES&NOISESOURCES DESCRIPTION CPClare’sTDSeriesofgasdischargemicrowavenoisetubesandTNSeriesofgasdischargemicrowavenoisesourcesaretheelementinamicrowaveRFsystemthatallowsaccuratemeasurementsofthenoisefigureofthereceiveroritscomponents.Therequirementsofadeviceusedforma	Clare Clare, Inc.	Clare
TPL8151-S	文件：842.95 Kbytes Page：18 Pages	1.5-AWide-InputHigh-CurrentLow-DropoutLinearRegulator Features •InputVoltageRange:2.75Vto29V •AdjustableOutputVoltageRangefrom1.25V •1.5-AMaximumOutputCurrent •±2%OutputAccuracyoverLineRegulation,Load Regulation,andOperatingTemperatureRange •LowDropoutVoltage:1.2VTypicallyat1.5A •HighPSRR: –79dB	3PEAK3PEAK INC. 思瑞浦思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司	3PEAK
TSD-8151	文件：301.8 Kbytes Page：9 Pages	OFF-LINESWITCHMODETRANSFORMERS GENERALAPPLICATIONINFORMATION PremierMagneticsOff-LineSwitchModeTransformershavebeendesignedforusewithPowerIntegrations,Inc.TOPXXXseriesofoff-linePWMswitchingregulatorsintheFlybackBuck-Boostcircuitconfiguration.Thisconversiontopologycanprovideisolatedmultipleo	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
UPC8151TA	文件：138.91 Kbytes Page：16 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES DESCRIPTION ThePPC8128TA,PPC8151TAandPPC8152TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellular/cordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(example:1005size)whichcannotberealizedonintern	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8151TA	文件：448.08 Kbytes Page：54 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Lowcurrentconsumption:UPC8128TA;ICC=2.8mATYP.@VCC=3.0V UPC8151TA;ICC=4.2mATYP.@VCC=3.0V UPC8152TA;ICC=5.6mATYP.@VCC=3.0V •Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V •Highefficiency:UPC8128TA;PO(1dB)=-4.0dBmTYP.@f=1GHz UPC8151TA;PO	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8151TB	文件：513.809 Kbytes Page：54 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V •Lowcurrentconsumption:UPC8128TB;ICC=2.8mATYP.@VCC=3.0V UPC8151TB;ICC=4.2mATYP.@VCC=3.0V UPC8152TB;ICC=5.6mATYP.@VCC=3.0V •Highefficiency:UPC8128TB;PO(1dB)=−4.0dBmTYP.@f=1GHz UPC8151TB;PO(1dB)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8151TB	文件：1.63019 Mbytes Page：25 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPC8151TB	文件：593.31 Kbytes Page：27 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPC8151TB	文件：154.32 Kbytes Page：7 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC8179TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICcanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductorwhichcannotberealizedoninternal50ΩwidebandmatchedIC.Thislowcurrentamplifieroperateson3.0	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8151TB	文件：138.91 Kbytes Page：16 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES DESCRIPTION ThePPC8128TA,PPC8151TAandPPC8152TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellular/cordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(example:1005size)whichcannotberealizedonintern	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8151TB	文件：287.78 Kbytes Page：52 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES DESCRIPTION TheµPC8128TB,µPC8151TBandµPC8152TBaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellularorcordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(eg1005size)whichcannotberealizedoninternal50	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8151TB	文件：206.17 Kbytes Page：10 Pages	SILICONRFICLOWCURRENTAMPLIFIERFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES	CEL California Eastern Laboratories	CEL
VSC8151	文件：471.75 Kbytes Page：30 Pages	2.488Gb/sSONET/SDHSTS-48/STM-16SectionTerminator GeneralDescription TheVSC8151isa2.488Gb/sSectionTerminationdevicewhichbothmonitorsandmodifiesthesectionand lineoverheadofareceivedSONET/SDHsignal,andcangenerateAIS-Lmaintenancesignalsfortroublesec tionalization.Thesefeaturesallowallsectionterminationr	VITESSE vltesse	VITESSE
VSC8151QV	文件：471.75 Kbytes Page：30 Pages	2.488Gb/sSONET/SDHSTS-48/STM-16SectionTerminator GeneralDescription TheVSC8151isa2.488Gb/sSectionTerminationdevicewhichbothmonitorsandmodifiesthesectionand lineoverheadofareceivedSONET/SDHsignal,andcangenerateAIS-Lmaintenancesignalsfortroublesec tionalization.Thesefeaturesallowallsectionterminationr	VITESSE vltesse	VITESSE

晶体管资料

型号：
SDT8151
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
功率开关（PSW）
封装形式：
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
20A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DK109E,
最大耗散功率：
175W
放大倍数：
β=40-120
图片代号：
NO
vtest：
150
htest：
999900
atest：
20
wtest：
175

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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